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VMM650-01F中文资料

  • 大小:101.51KB
  • 厂家:IXYS [IXYS Corporation]
  • 描述:Dual Power HiPerFETTM Module
  • 标准包装:2
  • 类别:半导体模块
  • 家庭:FET
  • 系列:HiPerFET™
  • FET 型:2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:680A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:2.2 毫欧 @ 500A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 30mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:1440nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:-
  • 功率 - 最大:-
  • 安装类型:底座安装
  • 封装/外壳:Y3-Li
  • 供应商设备封装:Y3-Li
  • 包装:散装

VMM650-01F供应商

更新时间:2023-01-04 19:50:13
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